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全球光刻机发展概况以及半导体装备国产化

作者:狗博app 来源:本站原创 日期:2021-03-15 10:03 点击: 

  ASML脱胎于飞利浦光刻设备研发小组。飞利浦从1971年开始,在此前开发的透镜式装备基础上,开发透镜式非接触光刻设备。虽然在1973年成功推出新型光刻设备,在整体性能研发方面取得一定成功,但由于成本高昂,且存在一系列技术问题,很难对外推广。同时,其他设备商在解决接触式光刻机的缺陷问题上用不同的技术路径取得了突破。于是,飞利浦计划要关停光刻设备研发小组。

  这时ASMI找上门来要求合作开发生产光刻机。ASMI是什么来头呢?这里有必要介绍一下。ASMI(AdvancedSemiconductorMaterialsInternational)是由ArthurdelPrado在1964年创办,初时是一家半导体设备代理商。ArthurdelPrado非常富有战略眼光且专注半导体,很快在半导体业界风生水起,并于1971年公司开始转型进入封装设备生产,慢慢扩大到前道设备,1976年公司的PECVD进入市场,奠定ASMI作为原始设备生产商的地位。1981年公司成功上市。

  ASML当时面临三大问题,一个是技术落后,飞利浦公司先前研发的技术在漫长的等待中已经过时,远不能满足客户要求;二是市场已经饱和,竞争非常激烈,强手如林,日本的Nikon、Canon、Hitachi,美国的GCA、SVG、Ultratch、ASET、Perkin-Elmer、Eaton,民主德国的Zeiss等相继推出了自己的光刻机产品;三是资金严重匮乏。

  据说当时员工都对ASML的未来没有信心。现在ASML公司官方网站里的“OurHistory”里,都用了“inauspiciously”这个词描写当时的情况。

  是什么原因让ASML杀出重围,并成长为光刻机领域的绝对龙头,全球市占率达到近70%,垄断高端EUV光刻机市场。

  观其成长之路,可谓一段产业传奇。成立之初,由于技术落后和资金不足,加上产业周期性衰退,几乎陷入破产境界;1995年上市,充裕的资金让公司发展提速;2000年推出TWINSCAN双工件台光刻机,一举奠定霸主地位;进入EUV时代,得到大客户支持,更是一骑绝尘。可以说ASML的龙头之路既与产业大环境密切相关,也是其自身重视研发,对研究创新始终采取开放态度的必然结果。

  光刻机是集成电路制造中最精密复杂、难度最高、价格最昂贵的设备,用于在芯片制造过程中的掩膜图形到硅衬底图形之间的转移。(上刻出晶体管器件的结构和晶体管之间的连接通路。)

  集成电路在制作过程中经历材料制备、掩膜、光刻、刻蚀、清洗、掺杂、机械研磨等多个工序,其中以光刻工序最为关键,因为它是整个集成电路产业制造工艺先进程度的重要指标。

  光刻机的发展经过了一个漫长的过程,1960年代的接触式光刻机、接近式光刻机,到1970年代的投影式光刻机,1980年代的步进式光刻机,到步进式扫描光刻机,到浸入式光刻机和现在的EUV光刻机,设备性能不断提高,推动集成电路按照摩尔定律往前发展。

  曝光光源方面,从1960年代初到1980年代中期,汞灯已用于光刻,其光谱线nm(g线nm(h线nm(i线)。然而,随着半导体行业对更高分辨率(集成度更高和速度更快的芯片)和更高产量(更低成本)的需求,基于汞灯光源的光刻工具已不再能够满足半导体业界的高端要求。

  1982年,IBM的KantiJain开创性的提出了“excimerlaserlithography(准分子激光光刻)”,并进行了演示,现在准分子激光光刻机器(步进和扫描仪)在全球集成电路生产中得到广泛使用。在过去的30年中,准分子激光光刻技术一直是摩尔定律持续推进的关键因素。使得芯片制造中的最小特征尺寸从1990年的500nm推进至2016年10nm,台积电和三星都宣称2018年要量产7nm产品。

  光刻系统中常用的DUV准分子激光器是248nm波长的KrF和193nm波长的ArF。1980年代准分子激光光源的主要制造商是LambdaPhysik(后并入Coherent,Inc.)和Lumonics。自1990年代中期以来,Cymer公司(原ASML合作伙伴,2013年并入ASML)和GigaphotonInc.(尼康光刻机的光源合作伙伴)已成为光刻设备制造商的准分子激光光源的主要供应商。

  使用193nmArF光源的干法光刻,其工艺节点可达45/40nm,进一步采用浸液式光刻、配合比较激进的可制造性设计DfM)等技术后,可达28nm;而要进到更高端制程时,就必须采用辅助的多重曝光(MultiplePatterning,MP)。然而使用多重曝光会带来两大问题:一是光刻加掩膜的成本上升,而且影响良率,多一次工艺步骤就是多一次良率的降低;二是工艺的循环周期延长,多重曝光不但增加曝光次数,而且增加刻蚀(ETCH)和机械研磨(CMP)工艺次数,也就是把光刻的步骤分了点给ETCH和CMP。对于使用浸液式光刻+多重图形曝光的193nmArF光刻机可以将工艺缩小到10nm。

  而EUV作为下一代技术的代表,不需要多重曝光,一次就能曝出想要的精细图形,没有超纯水和晶圆接触,在产品生产周期、OPC的复杂程度、工艺控制、良率等方面的优势明显。但是也需要继续优化。特别是EUV的曝光方式,降低EUV掩膜版的缺陷,以及晶圆产率方面还有很大发大空间。目前市场有多款EUV机型并开始出货,剑指7nm、5nm。

  虽然EUV光刻机已经开始出货,但由于其成本昂贵且交期长,一般的公司可能暂时用不上甚至也买不到机台,所以现在光刻机市场主要以193nmArF光刻机为主。

  如果工艺制程继续延伸到1nm或以下,如果EUV单次曝光已经无法满足今后工艺要求的话,会不会出现EUV+多重曝光呢?

  目前光刻技术的发展方向主要表现为缩短曝光光源波长、提高数值孔径(NA)和改进曝光方式。但不管技术如何发展,产率肯定是要考量的。

  随着时间的推移,工艺技术的进步,Hitachi、GCA、SVG、Ultratch、ASET、Perkin-Elmer、Eaton、Zeiss等,有的已经退出光刻机市场,有的被收购,有的转战先进封装用光刻机市场。

  目前全球半导体前道用光刻机的生产厂商有4家,分别是ASML、Nikon、Canon和上海微电子(SMEE),其中尤其以ASML为佳,一家独占7成的市场。

  2017年全球晶圆制造用光刻机台出货不足300台,其中ASML共就出货198台,占全球近7成的市场。其中EUV光刻机11台,ArFi光刻机76台,ArF光刻机14台,KrF光刻机71台,i-line光刻机26台。2017年单台EUV机台平均售价超过1亿欧元,2018年一季度的售价更是接近1.2亿欧元,而且是有价无货。

  2017年Nikon出货26台光刻机,占有率不足10%,其中ArFi光刻机6台,ArF光刻机8台,KrF光刻机2台,i-line光刻机10台。(笔者注:从1980年代,Nikon就开始进入半导体制造领域,在近40年的光刻机研究与开发中,已向世界各国或地区销售了各种光刻机超过9000多台,曾创下年销量900台的纪录,不过自2008年和2009年丢失台湾、韩国市场,公司开始一蹶不振,出货量急速下滑。)

  2017年Canon出货70台,占比24%,且集中在低端产品,其中KrF光刻机20台,i-line光刻机50台。(笔者注:从1970年代,Canon公司就涉足半导体制造设备领域,凭借世界领先的光学及精密机械生产技术,从研制2:1缩小投影和接触接近式光刻设备起步,先后向世界市场投放了PLA系列步进式、MPA系列等倍扫描式、投影式和FPA系列步进缩小投影式、扫描式三大系列的光学光刻设备约10000台,由于公司在技术上的决策失误,从2008年逐步退出半导体用光刻机市场。)

  从上图可以看出,2011年开始,ASML按销售金额(不含服务费入)计算,就一直占有全球6成以上的市场。而Nikon尽管在机台出货数量上不如Canon,但是由于Canon的出货机台都是低端的光刻机台,所以Nikon的年度销售收入相比Canon要高。

  2017年全球光刻机总出货294台,ASML出货198台,占有68%的市场份额。EUV光刻机方面,ASML占有率100%。在ArFi机台方面,全球销售82台,ASML以76台,占有率超过92%。ArF机台方面,全球销售22台,ASML占比64%。也就是说,在高端光刻机方面,ASML占有88%的市场。

  2011-2017年全球光刻机总出货1920台,ASML出货1209台,占有63%的市场份额。EUV光刻机方面,ASML占有率100%。在ArFi机台方面,全球销售612台,ASML以539台,占有率超过88%。ArF机台方面,全球销售95台,ASML占比52%。也就是说,在高端光刻机方面,ASML占有84%的市场。

  目前全球知名厂商都是ASML的客户,英特尔、三星、台积电都在全力支持ASML在EUV光刻机方面的研发。Nikon在EUV机台方面只在2008年第4季出货一台,再也没有任何消息。而Canon从2010年开始就完全退出了ArF领域,只保有低端机出货,转而发力OLED光刻机市场。

  1986年推出首台步进式设备PAS2500/10,并和镜头制造商CarlZeiss建立密切合作关系;

  1999年6月收购MicroUnitySystemsEngineeringInc.业务部门MaskTools,使得公司在先进技术节点方面可以提供最完整的解决方案,改善了公司光刻机的扫描和成像能力,显著增加了聚集深度,扩大了光刻窗口,提高了芯片产量;

  2001年5月完成对SiliconValleyGroup,Inc.(SVG)的收购,获得了投影掩罩瞄准技术、扫描技术,极大的提升了公司产品的技术,并在美国拥有了研发生产基地;

  2007年3月8日完成收购光刻解决方案提供商BrionTechnologies,Brion的计算光刻技术(设计验证,分辨率增强技术RET以及光学邻近效应修正OPC)能使半导体制造商得以对制作出的集成电路图形进行仿真,并可更正掩模图形,从而优化制造工艺,提高成品率;

  2010年推出首台EUV设备TWINSCANNXE:3100系统,与之前的光刻机相比,能够使用更短波长的光,使得客户可以制造更小规格的产品,在同一块芯片上集成更多的晶体管;

  2012年公司提出“客户联合投资专案”(CustomerCo-InvestmentProgram),获得英特尔、台积电、三星的响应,以23%的股权共筹得53亿欧元资金;

  2013年5月30日完成对光源提供商Cymer的收购,为公司量产EUV设备起决定性作用;

  2016年11月5日收购CarlZeissSMT的24.9%股权,以强化双方在半导体微影技术方面的合作,发展下一代EUV微影系统。

  2016年11月22日完成对汉微科HermesMicrovision收购,以强化对半导体制造商的高科技服务;

  下面笔者就已公司发展历程来进行解读,说说ASML这个光刻机巨人是如何炼成的。

  半导体产业属于资金密集型、技术密集型产业,光刻机作为推动摩尔定律最关键的设备,研发新产品时更需要庞大的资金投入。ASML成立之初也面临着技术落后和资金短缺的问题。有消息称,1992年在遭遇半导体产业周期性衰退时,公司资金链断裂,几乎破产会闭。幸亏股东飞利浦及时出手相救,加上公司的轻资产战略,才涉险过关。

  为了解决资金问题,1995年3月,公司在阿姆斯特丹和美国纳斯达克(NASDAQ)交易所同时上市,充裕的资金一方面增强了公司研发能力,同时也让公司可以进行产业并购,以完善公司的技术,促进光刻技术的发展。

  1999年6月收购MicroUnitySystemsEngineeringInc.旗下业务部门MaskTools,使得公司在先进技术节点方面可以提供最完整的解决方案,改善了公司光刻机的扫描和成像能力,显著增加了聚集深度,扩大了光刻窗口,提高了芯片产量;2001年5月完成收购SiliconValleyGroup,Inc.(SVG),掌握了投影掩罩瞄准技术、扫描技术,极大的提升了公司产品的技术,并在美国拥有了研发生产基地;2007年3月完成收购光刻解决方案提供商BrionTechnologies,掌握了计算光刻技术(包括分辨率增强技术RET以及光学邻近效应修正OPC),计算光刻技术能使半导体制造商得以对制作出的集成电路图形进行仿真,并可更正掩模图形,从而优化制造工艺,提高成品率,涉足的领域包括设计验证;2013年5月30日完成对光学技术提供商Cymer的收购,为公司量产EUV设备提供决定性信用;2016年11月5日收购CarlZeissSMT的24.9%股权,以强化双方在半导体微影技术方面的合作,为发展下一代EUV系统奠定基础;2016年11月22日完成收购台湾汉微科HermesMicrovisionInc.(HMI),以强化将公司的全方位微影技术解决方案(包括微影曝光系统、运算微影及量测)。

  光刻机是技术含量极高的设备,厂商每年需要投入巨额的资金用于研发。ASML极其重视研发,并对研发创新始终保持开放态度。公司每年的研发投入都在营业收入的15%左右。如此大的研发投入,也让公司能适时推出满足市场需求的新品。

  ASML的光刻机产品线分为PAS系列和采用TWINSCAN系统的AT系列、XT系列、NXT系列和NXE系列。其中PAS系列光源多为高压汞灯光源,PAS2000和PAS5000系列现已停产,PAS5500系列还在为产业发挥作用;TWINSCANAT系列属于老型号,已经停产。市场上主力机种是XT系列以及NXT系列,为ArF和KrF激光光源,XT系列是成熟的机型,分为干式和浸液式两种,而NXT系列则是现在主推的高端机型,全部为浸液式。NXE系列EUV机台主要针对10纳米以下的制程节点。

  公司成立当年,推出了公司第一款产品PAS2000型光刻机,采用油压驱动,技术落后同行。随后靠着飞利浦原有的技术积累和合作伙伴CarlZeiss等的支持,1987年推出步进式设备PAS2500/40,该型光刻机可与当时同类最佳机台媲美;1989年推出PAS5000系统;1991年推出PAS5500系统。

  2000年8月出货首台TWINSCANAT:700S,这是公司的重大技术突破,实现了双平台工作,可同时处理两张12寸晶圆,生产效率倍增。

  2000年以前的光刻设备,只有一个工件台,晶圆片的对准与刻蚀流程都在上面完成。公司在2000年推出的TWINSCAN双工件台系统,是光刻机行业的一大进步。双工件台的出现,使得光刻机能够在不改变初始速度和加速度的条件下,当一个工件台进行晶圆曝光的同时,另外一个工件台进行曝光之前的预对准工作,并在第一时间得到结果反馈,生产效率提高大约35%。双工件台系统虽然仅是加一个工件台,但技术难度却不容小觑,对工件台转移速度和精度有非常高的要求。如果工件台转换速度慢,则影响工作效率;如果工件台转换精度不够,则会影响后续的扫描光刻的正常开展。ASML的TWINSCAN导轨式双工作台系统采用其独家的磁悬浮驱动,使得系统能克服摩擦系数和阻尼系数,其加工速度和精度远超机械式和气浮式工作台。今天,ASML更是开发出了无导轨式的平面编码磁悬浮工作台系统,通过平面编码进行精确定位,从而进一步提高了工作台转换精度。

  在EUV方面:2010年推出首台EUV设备TWINSCANNXE:3100系统,与之前的光刻机相比,能够使用更短波长的光,使得客户可以制造更小规格的产品,在同一块芯片上集成更多的晶体管。2013年推出TWINSCANNXE:3300B光刻机,在13.5纳米波长理进行光刻,同轴照明解析度提升至22纳米,采用离轴照明解析度提升可达18纳米,产率为55wph;2015年推出的TWINSCANNXE:3350B产率已经来到80wph;到2017年推出TWINSCANNXE:3400B光刻机,解析度提升至13纳米,产率高达125wph。为了发展下一代EUV微影系统,ASML不惜投入巨资,2016年11月以10亿美元收购CarlZeissSMT的24.9%股权,此外还将投入巨额研发资金,首先一次性投入是2.44亿美元,之后6年将投入6亿美元,这次合作预计投入将近20亿美元,双方合作的成果就是将推出数值孔径(NA)不低于0.5的EUV光刻系统,到时产率可望达185wph。

  作为集成电路制造中最精密复杂、难度最高、价格最昂贵的设备,光刻机所需零部件多达数万个,对误差和稳定性的要求极高,如此多的零部件和核心技术,如果由一家公司垄断难以相信。

  ASML从成立开始就没有做垂直整合,而是实行轻资产策略。在把控核心技术(光刻曝光技术)的同时,依靠全球产业链分工合作的方式,采取模块化外包协同联合开发策略。该策略使ASML得以集世界光刻顶级技术之大成。如光学镜头部件由德国CarlZeiss生产,光源由美国的Cymer(现ASML子公司)提供,计量设备则由美国的Keysight(Agilent/Hewlett-Packard)制造,传送带则来自荷兰VDL集团。正是有了如此多的各细分领域中的顶尖供应商的协同创新,公司可以把主要的研发力量集中在确定客户需求和系统整合上,从而迅速占领了世界光刻机的制高点。

  零部件模块化外包策略在降低了ASML的研发风险和资金成本的同时,也构建了以ASML为核心的产业链联合体。ASML的研究团队与供应商及全球顶尖的科研机构、大学建立广泛的合作,采用开放式创新模式,大家在利己最擅长的尖端技术领域进行创新,分享专利成果和研发风险,合作伙伴也可以将这些技术用于其他领域。并且鼓励供应商在制造过程中提出改进意见,具有极高的效率和灵活性。

  2012年7月9日,公司宣布一个“CustomerCo-InvestmentProgram”,该计划允许其大客户对ASML进行少数股权投资,并承诺为ASML未来计划的研发支出作出承诺。该计划在2012年10月完成,英特尔、台积电、三星总计以38亿欧元的代价取得23%的股份,并另外出资13.8亿欧元支持ASML未来五年的EUV技术研发,助其快速实现量产,以及获得EUV设备的优先购买权。也许是由于美国、韩国、中国台湾三地工程师的天马行空的想法,EUVV光刻机得以快速成熟起来。

  由于ASMI创办人ArthurdelPrado的缘故,他认为半导体的主战场就在美国,所以ASML在成立后的第二年就在位于美国亚利桑那州的TEMPE设立据点,以把握全球最新的半导体技术动态,1986年产品正式进入美国市场,到1999年美国占其营收的35%。

  1987年由于飞利浦在台湾合资成立台积电,ASML立即跟随在台湾新竹设立办事处,1999年台湾占其营收的24%。

  1989年在韩国设立办事处,1990年产品正式进入,由于三星、现代和LG纷纷进入半导体产业,韩国市场迅速爆发,从1995年到1998年就出货多达100台,1999年韩国为其贡献营收高达3亿欧元,占其总营收的27%。

  在中国大陆,从1988年清华大学向ASML订购了首台PAS5000光刻机起,到2004年已经向中国发货达到100台。

  1998年公司开始活跃于俄罗斯市场,2001年设备正式进入俄罗斯,目前以PAS5500系列为主。

  由于ASML对半导体新兴市场的主动出击,公司获得了极大的发展。1999年公司营收首次突破10亿欧元,达到12亿欧元;而2000年时营收更是突破20亿欧元大关,达到27亿欧元;2017年全球营收超过90亿元,其中光刻机营收约64亿美元。

  我国光刻机设备的研制起步也不晚。从1970年代开始就先后有清华大学精密仪器系、中科学院光电技术研究所、中电科45所投入研制。

  清华大学精密仪器系是我国历史最悠久的工程学科院系之一,建有“精密测试技术与仪器”国家重点实验室。1970年代,研制开发了分步重复自动照相机、图形发生器、光刻机、电子束曝光机工件台等半导体设备,其中“分步相机”应用于全国100多个厂家,受到好评。

  中科学院光电技术研究所是中国光刻设备的最早研制机构之一,在1980年研制出首台光刻机,分辨率3μm,属于接触/接近式;1991年研制出分辨率1um同步辐射X-射线年研制出g线um的分布重复投影光刻机,产率达32wph;1997年自主研发完全“0.8-1um分步重复投影光刻机”。

  中电科45所也是我国最早从事光刻机研发的骨干单位之一。当1978年世界上第一台量产型g线分步投影光刻机在美国问世后,45所就投入了分步投影光刻机的研制工作,1985年研制我国同类型第一台g线um分步投影光刻机,在1994年推出分辨率达0.8um的分步投影光刻机,2000年推出分辨率达0.5um实用分步投影光刻机。

  2002年国家在上海组建上海微电子装备有限公司承担“十五”光刻机攻关项目时,中电科45所将从事分步投影光刻机研发任务的团队整体迁至上海参与其中。目前,我国从事集成电路前道制造用光刻机的生产厂商只有上海微电子(SMEE)和中国电科(CETC)旗下的电科装备。

  上海微电子装备(集团)股份有限公司(SMEE)是国内技术最领先的光刻机研制生产单位,目前已量产的光刻机有三款(见下表),其中性能最好的是90nm光刻机。2016年国内首台前道i线重大科技专项任务“浸没光刻机关键技术预研项目”通过了国家正式验收;10月公司承担的02重大科技专项“90nm光刻机样机研制”任务通过了02专项实施管理办公室组织的专家组现场测试。

  电科装备光刻机是依托原来中电科45所的技术,45所从“六五”开始一直从事光刻机的研制开发工作,先后完成我国“六五”、“八五”、“九五”期间的1.5微米、0.8微米、0.5微米光刻机的研制任务。2002年分步投影光刻机研发团队迁至上海后,目前公司主要研制生产用于100mm/150mm中小规模集成电路、二极管三极管、电力电子器件、MEMS和其它半导体器件制造工艺的单/双面接触接近式光刻机产品。

  曝光系统方面:2017年6月21日,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所牵头研发的“极紫外光刻关键技术”通过验收。长春光机所自1990年代起专注于EUV/X射线成像技术研究,着重开展了EUV光源、超光滑抛光技术、EUV多层膜及相关EUV成像技术研究,形成了极紫外光学的应用技术基础。2002年,研制国内第一套EUV光刻原理装置,实现了EUV光刻的原理性贯通。2008年02专项将EUV光刻技术列为“32-22nm装备技术前瞻性研究”重要攻关任务。以长春光机所牵头的项目研究团队历经八年的潜心钻研,突破了制约我国极紫外光刻发展的超高精度非球面加工与检测、极紫外多层膜、投影物镜系统集成测试等核心单元技术,成功研制了波像差优于0.75nmRMS的两镜EUV光刻物镜系统,构建了EUV光刻曝光装置,国内首次获得EUV投影光刻32nm线宽的光刻胶曝光图形,建立了较为完善的曝光光学系统关键技术研发平台。

  双工件台系统:北京华卓精科科技股份有限公司(834733)是我国光刻机双工件台系统的研发单位,2015年1月,“45nm浸没式光刻机双工件台系统样机优化设计”通过了详细设计评审;2015年4月,“65nmArF干式光刻机双工件台”通过整机详细设计评审,具备投产条件。目前,65nm光刻机双工件台已获得多台订单。接下来公司要完成28nm及以下节点浸没式光刻机双工件台产品化开发并具备小批量供货能力,为国产浸没光刻机产品化奠定坚实基础。作为世界上第二家掌握双工件台核心技术的公司,华卓精科成功打破了ASML公司在工件台上的技术垄断。

  中科院光电所研制出来的SP光刻机是世界上第一台单次成像达到22纳米的光刻机,结合多重曝光技术,可以用于制备10纳米工艺。SP光刻机利用表面等离子体超衍射光学光刻的原理,能刻出相当于光源波长十分之一甚至二十分之一分辨率的产品。

  曝光系统和双工件台系统的成功,为我国高端光刻机的研发生产提供了奠定坚实基础。SP光刻机的研发成功,给我国光刻机装备的追赶带来了曙光。

  02重大专项以培育真正可用产品、做大做强企业为目标,实施的“下游考核上游,整机考核部件,应用考核技术,市场考核产品”考核制,保证了科研成果的实用性,成就了一大批经得起市场检验的高端产品。电科装备的化学机械抛光设备(CMP)、上海微电子的光刻机、北方华创的刻蚀机和CVD、盛美的清洗设备、中微的刻蚀机等都是非常有竞争力的,很多产品已经走出国门,或者与国外装备同步验证。

  客观地讲,这些都是最近几年中国半导体装备产业的亮点。当然这些成绩也只是国产装备的初步发展,要真正做到国产高端装备全面进入市场还有很长的路要走。

  首先,装备与工艺的结合问题,一直是制约国产装备进入大生产线的主要瓶颈之一。国际半导体装备厂商,特别是关键的、与工艺密切相关的前道设备厂商在工艺研发上投入巨大,一般都建有相应的工艺研发生产线。而目前国内半导体装备厂商还没有建立自己的工艺研发生产线。工艺固化到装备中,我们还有不小的距离。

  第二,坚持自主研发,从零部件入手,掌控核心技术。国家重大专项对半导体设备与工艺的重视,对国产装备业来说是莫大的发展机会。我国不仅要支持关键装备的研发生产,也要支持相关重要零部件厂商。

  第三,协同创新,成果共享。目前半导体装备越来越复杂,一家公司独自承担所有零部件的开发确实不易。我们应该利用整个国家、甚至于全球的资源来共同完成。

  正如02重大专项技术总师叶甜春所说,发展装备业,要采取产业链、创新链、金融链有效协同的新模式,专项与重点区域产业发展规划协同布局,主动引导地方和社会的产业投资跟进支持,有效推动专项成果产业化,扶植企业做大做强,形成产业规模,提高整体产业实力。

  衷心希望有更多的社会资本能投入中国半导体装备业中。半导体装备的国产化远比芯片国产化有意义!

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  ASML澄清:中芯国际批量购买光刻机,仅限DUV!近日,中芯国际与ASML达成12亿美元交易购买晶圆....

  由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖,电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设....

  小编看一个半导体行业的重大消息,3月11日,中、美两国半导体行业协会宣布将共同成立“中美半导体产业技....

  有人说是阿秒激光器(attosecond),但目前阿秒激光是科研热点,全球还没有成熟的商用阿秒激光器....

  3月6日,国星光电发布公告称,公司拟以自有资金2.2亿元对国星半导体进行增资,本次增资完成后国星半....

  这两年,半导体业被追捧的热度以及所承受的压力,就如李雪琴在脱口秀大会上的自述段子。 2020年下半年....

  据中国海关总署周日发布的数据显示,今年前两个月,中国进口了964亿半导体器件,比去年同期增长了36%....

  公告继续指出,通过本次交易,公司将在发挥半导体材料领域优势的同时,紧抓集成电路芯 片设计、半导体功率....

  特朗普时期单打独斗的遏制效果不显著,拜登政府拉帮结派打“群架”能否扭转局面?另外,通过单一核心技术卡....

  。鼎芯半导体引进国内外最先进生产设备,一期拟投入磨片机一台,切割机10台,电镀线一条,激光打印、切筋....

  此前,英国智库亨利·杰克逊协会就曾发布报告称,澳大利亚是五眼联盟国家中(澳大利亚、英国、加拿大、新西....

  很多时候,我们提起半导体行业名人,总是会想到约翰·巴丁,张忠谋、张汝京......但是发现了吗?我们....

  据日经网3月10日报道,为向纯电动汽车等供货,东芝将投资约250亿日元(约合人民币15亿元),在其主....

  3月10日,众鸿半导体项目签约仪式在临港产业区举行,该项目将推动众鸿涂胶显影设备实现量产。

  台积电虽然在IC制造领域排名第一,无论是制程工艺还是良品率都是业界领先但是,它始终是一家企业。它的半....

  自2018年开始,OPPO加快在芯片领域的投资,当年旗下公司上海瑾盛通信经营范围增加集成电路芯片设计....

  中国台湾半导体研究中心在去年12月下旬公布,于IEEE国际电子组件会议IEDM(Internatio....

  近段时间,除大陆晶圆代工产能全开外,台湾地区晶圆代工厂台积电、联电、世界先进等产能也都排满。

  对此,ASML发布公告澄清。公告提到,中芯国际已根据香港上市规则披露了与ASML的批量购买协议(VP....

  此外,由于供应短缺,甲醇成本和催化剂原材料成本(包括铂金成本)也在增加,还有物流成本和二次材料成本等....

  基于系统效率和功率密度发展趋势示意图,我们可以清晰的看出,在最近的十年间系统的效率和功率密度有了巨大....

  近日,天准科技发布公告称,公司拟自筹5亿元投资建设“年产1000台/套基于机器视觉的智能检测系统及产....

  由于铜、铁、铝、塑料等原材料涨价,以及终端库存下降、需求回温等原因,LED行业从去年底掀起了涨价潮。

  由中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院、江苏省工业和信息化厅、南京市江北新区主办的“202....

  隶属于博世集团的罗伯特·博世创业投资公司(RBVC)已完成对基本半导体的投资。

  德累斯顿晶圆厂将为未来交通出行解决方案以及改善道路安全提供车用芯片。计划于今年年底前启动生产。

  Fairchild公司的FSB127H是满足2013 ErP的地块6待机功率法规的绿色模式功率开关,....

  结合行业大数据资源,整理了全球新材料企业巨头名单和主营产品,供广大代理商/贸易商、材料需求方参考!

  近期,清华加速器光源的重大突破在《自然》上发表和武汉弘芯基本宣布死亡的新闻几乎同时发生,一生一死、一....

  采用人工智能如何预防与封装厚度相关的所有缺陷,如何控制模具停机时间?...

  TexasInstruments公司推出的混合信号微控制器MSP430系列时常要碰到不同电压、电平的接口问题,比如在一个混合系统中如何解决...

  汽车中的电子系统日益增多、越来越复杂,提高电源 IC 性能的目的是允许设计适应这种状况的电子系统。促进汽车中电子系统增长的...

  半导体制冷片是利用半导体材料的Peltier效应而制作的电子元件,当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时,在电偶的两端即...

  本征半导体 没有杂质的纯净的晶体才算得上本征半导体,比如硅、锗。 本征半导体是不导电的,为什么这么说呢? ...

  切开剖面观察金丝情况,及金球情况,表面铝线是否受伤,芯片是否有裂缝,光刻是否不良,是否中测,芯片名是否与布线图芯片名相符。...

  当今的行业正在经历翻天覆地的变化,这主要是由于终端市场需求变化和重大整合引起。几十年前,业内有许多家公司,它们多半活跃于...

  LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz

  低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...

  TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

  TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...

  TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

  TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...

  LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

  TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

  TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V< V IT - ≤3.1V= 100mV(典...

  INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

  INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish

  一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

  LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线针TSSOP封装 XOR-tree测试模式

  Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...

  LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度

  针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入

  用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

  AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

  AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...

  OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

  OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV

  PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...

  TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

  TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

  DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...

  TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

  TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

  这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...

  LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

  LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

  TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

  TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) < 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2

  LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

  LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV

  共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号

  严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

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